Presentation Information
[21p-B201-1][Young Scientist Presentation Award Speech] Improved channel mobility in SiC p-channel MOSFETs utilizing nonpolar faces
〇Kyota Mikami1, Mitsuaki Kaneko1, Tsunenobu Kimoto1 (1.Kyoto Univ.)
Keywords:
SiC MOSFET,p-channel MOSFET,channel mobility
SiC無極性面上にpチャネルMOSFETを作製した。その結果、SiC pチャネルMOSFETとして最高移動度の28 cm2/Vs(Si面の2倍以上)が得られた。価電子帯端近傍の低い界面準位密度が、高移動度の一因であると考えられる。本結果は、無極性面にチャネルを有するFinFET CMOSが、高いポテンシャルを有することを示唆する。