講演情報
[21p-B201-1][講演奨励賞受賞記念講演] 無極性面の適用によるSiC p チャネルMOSFET の移動度向上
〇三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
SiC MOSFET,pチャネルMOSFET,チャネル移動度
SiC無極性面上にpチャネルMOSFETを作製した。その結果、SiC pチャネルMOSFETとして最高移動度の28 cm2/Vs(Si面の2倍以上)が得られた。価電子帯端近傍の低い界面準位密度が、高移動度の一因であると考えられる。本結果は、無極性面にチャネルを有するFinFET CMOSが、高いポテンシャルを有することを示唆する。