Presentation Information

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21p-B201-15]Analysis of conductivity modulation using GaN pn junction diodes with different drift layer widths

〇Shigeyoshi Usami¹, Hiroshi Ohta², Hirotaka Watanabe³, Masayuki Imanishi¹, Shugo Nitta³, Yoshio Honda³, Tomoyoshi Mishima², Hiroshi Amano³, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Hosei Univ., 3.IMaSS Nagoya Univ.)

Download PDF

Keywords:

Conductivity modulation,pn junction diodes,gallium nitride

伝導度変調によるバイポーラデバイスのオン抵抗低減を正確に予測するには高レベル注入キャリア寿命(τ_HL)の同定が必須である．特にGaNのpn接合ダイオード(PND)ではフォトンリサイクリング効果や通電加熱によるp型GaN(pGaN)内正孔濃度の増加など様々な現象が介在するため，通常のIVスイープではτ_HLの評価は困難となる．そこで，我々はパルスIV測定によって発熱の影響を排除し，オン抵抗のドリフト層幅(W_D)依存性からτ_HLを評価したので報告する．

Back to Session information