講演情報

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[21p-B201-15]ドリフト層幅の異なるGaN pn接合ダイオードを用いた伝導度変調の解析

〇宇佐美茂佳¹、太田博²、渡邉浩崇³、今西正幸¹、新田州吾³、本田善央³、三島友義²、天野浩³、森勇介¹ (1.阪大院工、2.法政大学、3.名大未来研)

キーワード：

伝導度変調,pn接合ダイオード,窒化ガリウム

伝導度変調によるバイポーラデバイスのオン抵抗低減を正確に予測するには高レベル注入キャリア寿命(τ_HL)の同定が必須である．特にGaNのpn接合ダイオード(PND)ではフォトンリサイクリング効果や通電加熱によるp型GaN(pGaN)内正孔濃度の増加など様々な現象が介在するため，通常のIVスイープではτ_HLの評価は困難となる．そこで，我々はパルスIV測定によって発熱の影響を排除し，オン抵抗のドリフト層幅(W_D)依存性からτ_HLを評価したので報告する．

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