Presentation Information
[21p-B201-16]The effect of Lo-layer donor concentration for input-output characteristics on
microwave band GaN Hi-Lo type IMPATT diode
〇Seiya Kawasaki1, Takeru Kumabe1, Manato Deki2,1, Hirotaka Watanabe3, Atsushi Tanaka3, Yoshio Honda3, Manabu Arai3, Hiroshi Amano3 (1.Nagoya Univ., 2.D Tech. Center, Nagoya Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)
Keywords:
GaN,IMPATT diode,Microwave oscillator
前回我々は，マイクロ波帯GaN IMPATTダイオードにおいて，Hi-Lo型が従来の階段接合型と比較して高効率・高出力動作が可能であることを報告した．本研究ではLo層のドナー濃度を様々に変化させたGaN Hi-Lo型IMPATTダイオードを作製し，その入出力特性について比較・検討した．その結果，Lo層ドナー濃度の薄い素子（高降伏電圧）では出力が飽和する傾向を見せたのに対し，濃い素子（低降伏電圧）では飽和が見られず，異なる傾向が見られた．