講演情報
[21p-B201-16]マイクロ波帯Hi-Lo 型GaN IMPATT ダイオードにおけるLo 層ドナー濃度が入出力特性に与える影響
〇川崎 晟也1、隈部 岳瑠1、出来 真斗2,1、渡邉 浩崇3、田中 敦之3、本田 善央3、新井 学3、天野 浩3 (1.名大院工、2.名大Dセンター、3.名大未来研)
キーワード：
GaN,IMPATTダイオード,マイクロ波発振器
前回我々は，マイクロ波帯GaN IMPATTダイオードにおいて，Hi-Lo型が従来の階段接合型と比較して高効率・高出力動作が可能であることを報告した．本研究ではLo層のドナー濃度を様々に変化させたGaN Hi-Lo型IMPATTダイオードを作製し，その入出力特性について比較・検討した．その結果，Lo層ドナー濃度の薄い素子（高降伏電圧）では出力が飽和する傾向を見せたのに対し，濃い素子（低降伏電圧）では飽和が見られず，異なる傾向が見られた．