Presentation Information
[21p-B201-4]A study of thermal stress between SiC/SiO2 interface in SiC-SBD by micro-Raman
〇Tatsuya Kiyozumi1, Jun Suda1 (1.Chukyo Univ.)
Keywords:
Widegap semiconductor,Micro-Raman spectroscopy,Thermal stress
SiC半導体には、非常に大きなバンドギャップ、高い絶縁破壊電界基づく大きな可能性があり，メガソーラーやEV車載用All-SiCパワーデバイスとして実用化されつつある．
一般に電気自動車のPCUにSBDなどのSiC半導体素子が使われており，約200℃の高温動作するため、高温領域での熱応力変化を知る必要がある
本研究では，SiC-SBDにおいてSiC/SiO2の界面熱応力を非破壊で求めることを目的とする
一般に電気自動車のPCUにSBDなどのSiC半導体素子が使われており，約200℃の高温動作するため、高温領域での熱応力変化を知る必要がある
本研究では，SiC-SBDにおいてSiC/SiO2の界面熱応力を非破壊で求めることを目的とする