講演情報
[21p-B201-4]顕微ラマン分光法とFEM解析によるSiC-SBDにおけるSiC/SiO2界面熱応力解析に関する研究
〇清住 竜也1、須田 潤1 (1.中京大工)
キーワード：
ワイドギャップ半導体,ラマン分光法,熱応力
SiC半導体には、非常に大きなバンドギャップ、高い絶縁破壊電界基づく大きな可能性があり，メガソーラーやEV車載用All-SiCパワーデバイスとして実用化されつつある．
一般に電気自動車のPCUにSBDなどのSiC半導体素子が使われており，約200℃の高温動作するため、高温領域での熱応力変化を知る必要がある
本研究では，SiC-SBDにおいてSiC/SiO2の界面熱応力を非破壊で求めることを目的とする
一般に電気自動車のPCUにSBDなどのSiC半導体素子が使われており，約200℃の高温動作するため、高温領域での熱応力変化を知る必要がある
本研究では，SiC-SBDにおいてSiC/SiO2の界面熱応力を非破壊で求めることを目的とする