[21p-B201-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21p-B201-7] Nitridation and interface properties of NO-annealed SiO₂/SiC(0-33-8) structures

〇Hayato Iwamoto¹, Takato Nakanuma¹, Hirohisa Hirai², Mitsuru Sometani^1,2, Mitsuo Okamoto², Takuma Kobayashi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:

SiC MOS structure,SiC MOS NO nitridation,SiO2/SiC(0-33-8) structure

NO窒化を施した非基底面(11-20) 面（a 面）や、(1-100)面（m 面）、(0-33-8) 面（R 面）はSi面に比べて高い移動度を示す。非基底面はトレンチMOSFETへの適用の観点からも非常に重要であるが、SiO₂/SiC(0-33-8) 構造への窒素導入過程および電気特性に関する知見は僅少である。本発表では、NO窒化時間を変えたSiO₂/SiC(0-33-8) 構造に対して、XPS測定による界面への窒素導入量評価およびMOSキャパシタの電気特性評価を行ったのでその詳細を報告する。