講演情報
[21p-B201-7]SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価
〇岩本 隼登1、中沼 貴澄1、平井 悠久2、染谷 満1,2、岡本 光央2、小林 拓真1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)
キーワード：
SiC MOS構造,SiC MOS NO窒化処理,SiO2/SiC(0-33-8) 構造
NO窒化を施した非基底面(11-20) 面（a 面）や、(1-100)面（m 面）、(0-33-8) 面（R 面）はSi面に比べて高い移動度を示す。非基底面はトレンチMOSFETへの適用の観点からも非常に重要であるが、SiO2/SiC(0-33-8) 構造への窒素導入過程および電気特性に関する知見は僅少である。本発表では、NO窒化時間を変えたSiO2/SiC(0-33-8) 構造に対して、XPS測定による界面への窒素導入量評価およびMOSキャパシタの電気特性評価を行ったのでその詳細を報告する。