[21p-B203-1~7] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21p-B203-7] Numerical Analysis of Surface Roughness Scattering in Semiconductor Nanosheet

〇Jo Okada¹, Hajime Tanaka¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka University)

Keywords:

nanosheet,surface roughness,semiconductor

半導体ナノシートは次世代トランジスタのチャネル構造として有力視されている．しかし，厚 さ2-3 nm 程度の極薄膜領域では，表面ラフネスによる移動度低下が懸念される．本研究では，半 導体薄膜における表面ラフネス散乱の数値解析を行った．