[21p-B203-1~7] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[21p-B203-7] 半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の数値解析

〇岡田 丈¹、田中 一¹、森 伸也¹ (1.大阪大学)

キーワード：

ナノシート,表面ラフネス,半導体

半導体ナノシートは次世代トランジスタのチャネル構造として有力視されている．しかし，厚 さ2-3 nm 程度の極薄膜領域では，表面ラフネスによる移動度低下が懸念される．本研究では，半 導体薄膜における表面ラフネス散乱の数値解析を行った．