[21p-C402-1~16] 6.2 Carbon-based thin films

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[21p-C402-1] Effect of filament-temperature on homoepitaxial diamond (111) growth by HFCVD

〇Kimiyoshi Ichikawa¹, Ryoma Taguchi¹, Kazuki Kobayashi¹, Tsubasa Matsumoto¹, Kan Hayashi¹, Takao Inokuma¹, Satoshi Yamasaki¹, Norio Tokuda¹ (1.Kanazawa Univ.)

Keywords:

diamond,homoepitaxial growth,hot-filament CVD

熱フィラメント(HF)CVD法は、単結晶ダイヤモンドの大面積かつ安価な製造法として注目されており、高速成長や高品質結晶成長技術の開発が急務である。我々は、炭化物になると3880℃の高融点化するTaをフィラメントとして用い、フィラメント温度を3000℃にすることで、ホモエピタキシャルダイヤモンド(100)成長においてマイクロ波プラズマ(MP)CVDの比較的高い成長速度と同程度の高速成長を実証した。一方で、表面・界面制御やドーピング効率に優れた(111)のHFCVDにおける高速成長や成長モードは詳細に検討されていない。本研究では、ガス温度に大きな影響を与えるフィラメント温度及び基板-フィラメント距離に着目し、HFCVDにより(111)ホモエピタキシャル成長を行い、成長速度や成長モードを調べた。