講演情報
[21p-C402-1]HFCVDを用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)成長におけるフィラメント温度の影響
〇市川 公善1、田口 稜真1、小林 和樹1、松本 翼1、林 寛1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大)
キーワード：
ダイヤモンド,ホモエピタキシャル成長,熱フィラメントCVD
熱フィラメント(HF)CVD法は、単結晶ダイヤモンドの大面積かつ安価な製造法として注目されており、高速成長や高品質結晶成長技術の開発が急務である。我々は、炭化物になると3880℃の高融点化するTaをフィラメントとして用い、フィラメント温度を3000℃にすることで、ホモエピタキシャルダイヤモンド(100)成長においてマイクロ波プラズマ(MP)CVDの比較的高い成長速度と同程度の高速成長を実証した。一方で、表面・界面制御やドーピング効率に優れた(111)のHFCVDにおける高速成長や成長モードは詳細に検討されていない。本研究では、ガス温度に大きな影響を与えるフィラメント温度及び基板-フィラメント距離に着目し、HFCVDにより(111)ホモエピタキシャル成長を行い、成長速度や成長モードを調べた。