[21p-C402-1~16] 6.2 Carbon-based thin films

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)

[21p-C402-15] Investigation on Hydrogen-Terminated Vertical Diamond MOSFET toward Low ON Voltage

〇Koji Amazutsumi^1,2, Kosuke Ota^1,2, Tatsuya Fujishima¹, Hiroshi Kawarada^1,2,3 (1.Power Diamond Systems, Inc., 2.Waseda Univ., 3.Kagami Memorial Inst.)

Keywords:

Diamond,vertical MOSFET,Hydrogen Termination

これまでの水素終端縦型ダイヤモンドMOSFETのオン特性では、低ドレイン電圧（0～-5V）においてドレイン電流が流れにくく立ち上がり電圧が高いという問題があった。デバイスシミュレーションによりトレンチ形成後の再成長層厚さを薄くすることで立ち上がり電圧低減が期待できる結果を得た。