講演情報
[21p-C402-15]水素終端縦型ダイヤモンドMOSFETにおける低オン電圧実現に向けた構造検討
〇雨堤 耕史1,2、太田 康介1,2、藤嶌 辰也1、川原田 洋1,2,3 (1.（株）Power Diamond Systems、2.早大理工、3.早大材研)
キーワード：
ダイヤモンド,縦型MOSFET,水素終端
これまでの水素終端縦型ダイヤモンドMOSFETのオン特性では、低ドレイン電圧（0～-5V）においてドレイン電流が流れにくく立ち上がり電圧が高いという問題があった。デバイスシミュレーションによりトレンチ形成後の再成長層厚さを薄くすることで立ち上がり電圧低減が期待できる結果を得た。