[21p-C402-1~16] 6.2 Carbon-based thin films

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[21p-C402-3] Curvature evaluation of free-standing heteroepitaxial diamond thick films grown on Ir/MgO substrate

〇(M2)Tomoya Nakamura¹, Yutaka Kimura², Atsuhito Sawabe³, Ryuji Oshima^1,2, Hideo Aida¹ (1.Nagaoka Univ. of Tech., 2.Disco Corp., 3.Aoyama Gakuin Univ.)

Keywords:

diamond,curvature,MPCVD

酸化物基板上Ir薄膜へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長は、下地基板とダイヤモンドの熱膨張係数差による反りが課題である。本研究では、Ir/MgO基板上へ成長させた自立ダイヤモンド基板の反り検討のため、外形と内部結晶面の曲率を観察した。ダイヤモンド基板の外形曲率は凸方向に曲率値約8500 km－1、内部結晶面曲率は約3900 km－1であった。よって、外形と内部結晶面で反りが異なることが明らかになった。