講演情報
[21p-C402-3]Ir/MgO基板上で成長させた自立ヘテロエピタキシャルダイヤモンド厚膜の曲率評価
〇(M2)中村 友哉1、木村 豊2、澤邊 厚仁3、大島 龍司1,2、會田 英雄1 (1.長岡技科大、2.ディスコ、3.青学大)
キーワード：
ダイヤモンド,曲率,MPCVD
酸化物基板上Ir薄膜へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長は、下地基板とダイヤモンドの熱膨張係数差による反りが課題である。本研究では、Ir/MgO基板上へ成長させた自立ダイヤモンド基板の反り検討のため、外形と内部結晶面の曲率を観察した。ダイヤモンド基板の外形曲率は凸方向に曲率値約8500 km－1、内部結晶面曲率は約3900 km－1であった。よって、外形と内部結晶面で反りが異なることが明らかになった。