Presentation Information
[21p-P06-10]Evaluation of high temperature electrical properties in AlGaN/GaN recessed structures
〇Takaaki Kimura1, Tomohide Takahashi1, Ryo Tsurumaki1, Gaku Kamio1, Hiroshi Fujioka2, Narihiko Maeda1 (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)
Keywords:
AlGaN/GaN heterostructure,recessed structure,TLM measurement
AlGaN/GaN構造におけるオーミック電極の2端子デバイスにおいて、電極間中央にリセス長2 ㎛のリセス構造を形成した際の室温から200℃までの電気的特性について調べた。2 ㎛リセス構造の室温から200℃までのコンタクト抵抗の上昇率は非リセス、全領域リセス構造と比較して有意に高かった。非リセス部とリセス部の境界に発生した新たな抵抗がその温度特性に寄与している結果と考えているが、詳細な機構は現在検討中である。