講演情報
[21p-P06-10]AlGaN/GaNリセス構造の高温電気特性評価
〇木村 充晃1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
キーワード：
AlGaN/GaNヘテロ構造,リセス構造,TLM測定
AlGaN/GaN構造におけるオーミック電極の2端子デバイスにおいて、電極間中央にリセス長2 ㎛のリセス構造を形成した際の室温から200℃までの電気的特性について調べた。2 ㎛リセス構造の室温から200℃までのコンタクト抵抗の上昇率は非リセス、全領域リセス構造と比較して有意に高かった。非リセス部とリセス部の境界に発生した新たな抵抗がその温度特性に寄与している結果と考えているが、詳細な機構は現在検討中である。