Presentation Information
[21p-P06-11]Control of insulating properties of SiN films for surface passivation
〇Riku Torii1, Yuuki Murayama1, Tomohide Takahashi1, Ryo Tsurumaki1, Takaaki Kimura1, Gaku Kamio1, Hiroshi Fujioka2, Narihiko Maeda1 (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)
Keywords:
SiN,current collapse,surface passivation
GaN系FETの高電圧印加時に生じる電流コラプス現象の抑制には絶縁膜を表面に堆積する表面パッシベーションを用いるが、窒化物/絶縁膜界面の欠陥準位低減のためには絶縁性制御が必要である。そのため、最も一般的なSiN膜を反応性スパッタ法により成膜して導電性/絶縁性評価を行った。N2流量2.0-2.5 sccmの領域において絶縁性制御が可能であり、個々の素子表面状態や耐圧スペックに適合する設計、堆積に有用であると考えられる。