講演情報
[21p-P06-11]表面パッシベーション用SiN膜の絶縁性制御
〇鳥井 理玖1、村山 悠稀1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、木村 充晃1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
キーワード：
窒化ケイ素,電流コラプス,表面パッシベーション
GaN系FETの高電圧印加時に生じる電流コラプス現象の抑制には絶縁膜を表面に堆積する表面パッシベーションを用いるが、窒化物/絶縁膜界面の欠陥準位低減のためには絶縁性制御が必要である。そのため、最も一般的なSiN膜を反応性スパッタ法により成膜して導電性/絶縁性評価を行った。N2流量2.0-2.5 sccmの領域において絶縁性制御が可能であり、個々の素子表面状態や耐圧スペックに適合する設計、堆積に有用であると考えられる。