Presentation Information
[21p-P06-14]Clarification of the initial stage of crystal growth of NbN on AlN(0001) by first-principles calculation
〇(M2)Ryuji Nakagoshi1, Masato Oda1 (1.Wakayama Univ.)
Keywords:
first-principles calculation,nitride semiconductors,initial growth process
超伝導転移温度が約16Kである窒化ニオブ（NbN）は，窒化物半導体である窒化アルミニウム（AlN）を基板とすることで，量子デバイスへの新たな材料としての応用が期待されている．しかし，NbNは成長温度により構造の違いがでており，なぜでてくるのか不明である．今後，安定したNbN成長技術を確立するためには，初期成長過程の解明が必要である．本研究は，初期成長過程を解明するために，理論計算によりAlN（0001）上でのNbの吸着について評価した．