講演情報
[21p-P06-14]第一原理計算による窒化アルミニウム上での窒化ニオブの結晶成長初期段階の解明
〇(M2)中越 龍司1、小田 将人1 (1.和歌山大シス工)
キーワード：
第一原理計算,窒化物半導体,初期成長過程
超伝導転移温度が約16Kである窒化ニオブ（NbN）は，窒化物半導体である窒化アルミニウム（AlN）を基板とすることで，量子デバイスへの新たな材料としての応用が期待されている．しかし，NbNは成長温度により構造の違いがでており，なぜでてくるのか不明である．今後，安定したNbN成長技術を確立するためには，初期成長過程の解明が必要である．本研究は，初期成長過程を解明するために，理論計算によりAlN（0001）上でのNbの吸着について評価した．