Presentation Information
[21p-P06-5]Development of MicroLED using Boron ion implantation and GaN:Ge sputtered layer
〇Ayumu Okui1, Shotaro Nishigaki1, Atsushi Nishikawa2, Alexander Loesing2, Masaki Shirai3, Hiroki Kobayashi3, Hiroto Sekiguchi1 (1.Toyohashi Tech, 2.ALLOS, 3.ULVAC)
Keywords:
ion implantation,isolation,sputtered layer
我々は,簡便で均一性が高く,工程数を削減できるプロセスの開発のためBイオン注入とGaN:Geスパッタ膜を活用したマイクロLEDの作製を行った。異なるB濃度による電流―電圧特性およびXRD回析評価を行った後,この結果を用いてBイオン注入とGaN:Geスパッタ膜を組み合わせたマイクロLEDの作製に取り組んだ。結果として,Bイオン注入により発光領域を限定,かつ明瞭な整流特性が得られ,マイクロLEDの作製方法として有効となることが示された。