講演情報
[21p-P06-5]Bイオン注入およびGaN:Geスパッタ膜を活用したマイクロLEDの作製
〇奥井 歩夢1、西垣 尚太朗1、西川 敦2、Alexander Loesing2、白井 雅紀3、小林 宏樹3、関口 寛人1 (1.豊技大、2.ALLOS、3.アルバック)
キーワード：
イオン注入,絶縁,スパッタ膜
我々は,簡便で均一性が高く,工程数を削減できるプロセスの開発のためBイオン注入とGaN:Geスパッタ膜を活用したマイクロLEDの作製を行った。異なるB濃度による電流―電圧特性およびXRD回析評価を行った後,この結果を用いてBイオン注入とGaN:Geスパッタ膜を組み合わせたマイクロLEDの作製に取り組んだ。結果として,Bイオン注入により発光領域を限定,かつ明瞭な整流特性が得られ,マイクロLEDの作製方法として有効となることが示された。