Presentation Information
[21p-P06-7]Mechanism of generation of threading dislocations in c-surface active layer nanocolumns
〇Koichiro Akasaka1, Shunsuke Ishizawa1, Koichi Morozumi1, Hiromu Miyazawa1, Yasuto Akatsuka1, Takafumi Noda1, Rie Togashi2, Katsumi Kishino2 (1.Seiko Epson Corp., 2.Sophia Nanotech.)
Keywords:
nanocolumns,InGaN,c-plane
c面GaInN活性層を持つナノコラムにおける貫通転位の発生メカニズムを議論する。c面面内にZinc Blende(ZB)とWurtzite(WZ)の混在面が発生すると、この界面から貫通転位が発生していることが観察される。第一原理電子状態計算から、ZB面上とWZ面上の成長界面では双晶状態が発生し貫通転位が進展することが推測される。c面活性層を持つナノコラム特有の現象の可能性が示唆される。