講演情報
[21p-P06-7]c面活性層ナノコラムの貫通転位発生のメカニズム
〇赤坂 康一郎1、石沢 峻介1、両角 浩一1、宮澤 弘1、赤塚 泰斗1、野田 貴史1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)
キーワード：
ナノコラム,InGaN,c面
c面GaInN活性層を持つナノコラムにおける貫通転位の発生メカニズムを議論する。c面面内にZinc Blende(ZB)とWurtzite(WZ)の混在面が発生すると、この界面から貫通転位が発生していることが観察される。第一原理電子状態計算から、ZB面上とWZ面上の成長界面では双晶状態が発生し貫通転位が進展することが推測される。c面活性層を持つナノコラム特有の現象の可能性が示唆される。