Presentation Information
[21p-P06-9]Analysis of electrical properties of anodized n-GaN in two-step wet etching method
〇Gaku Kamio1, Hiroshi Fujioka2, Narihiko Maeda1 (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)
Keywords:
GaN,anodization
GaN系デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、n-GaNを陽極酸化後にウェットエッチングする2段階ウェットエッチング法を2019年に提案した。我々は新規材料としてのデバイス応用も念頭に陽極酸化によるn-GaNの電気伝導特性の変化を検討しており、今回、通電時間依存性も含め調べたところ、通電時間の増加に伴う電子濃度とホール移動度の減少により抵抗率が増大することが明らかになった。