講演情報
[21p-P06-9]２段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaN の電気伝導特性解析
〇神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
キーワード：
窒化ガリウム,陽極酸化
GaN系デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、n-GaNを陽極酸化後にウェットエッチングする2段階ウェットエッチング法を2019年に提案した。我々は新規材料としてのデバイス応用も念頭に陽極酸化によるn-GaNの電気伝導特性の変化を検討しており、今回、通電時間依存性も含め調べたところ、通電時間の増加に伴う電子濃度とホール移動度の減少により抵抗率が増大することが明らかになった。