Presentation Information
[21p-P09-16]Impact of incubation time for Sn solution in Mist CVD growth of Sn-doped α-Ga2O3 thin film
〇(M1)Kotono Yamada1, Takumi Yamamoto1, Rie Yamada1, Kai Yamada1, Hiroki Nagai1, Takeyosi Onuma1, Tohru Honda1, Tomohiro Yamaguchi1 (1.Kogakuin Univ.)
Keywords:
Ga2O3,Sn-doped,Mist CVD
Mist CVD法によりSn-doped α-Ga2O3薄膜を成長させた。先行研究において原料溶液の静置時間が薄膜の表面状態や結晶相へ影響を与えた。そのことから、Sn溶液でも同様に影響があると考えられるため、Sn溶液の静置時間変化による影響を検討した。Sn溶液の静置時間を変化させることにより、Sn溶液中で化学反応が生じ、薄膜の結晶相制御に影響を与えたことが示唆された。