講演情報
[21p-P09-16]Mist CVD法Sn-doped α-Ga2O3薄膜成長におけるSn溶液の静置時間変化
〇(M1)山田 琴乃1、山本 拓実1、山田 梨詠1、山田 魁1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)
キーワード：
Ga2O3,Snドープ,Mist CVD
Mist CVD法によりSn-doped α-Ga2O3薄膜を成長させた。先行研究において原料溶液の静置時間が薄膜の表面状態や結晶相へ影響を与えた。そのことから、Sn溶液でも同様に影響があると考えられるため、Sn溶液の静置時間変化による影響を検討した。Sn溶液の静置時間を変化させることにより、Sn溶液中で化学反応が生じ、薄膜の結晶相制御に影響を与えたことが示唆された。