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[21p-P09-17]Investigation of initial growth of α-Ga2O3 in mist-CVD

〇Hiroto Tamura1, Kazuyuki Uno1 (1.Wakayama Univ.)

Keywords:

gallium oxide,mist chemical vapor deposition,initial growth

ミストCVD法によるα型酸化ガリウム薄膜の結晶性向上のために初期成長を検討した。アセチルアセトナート化した原料水溶液を用いてc面サファイア基板上に成長した場合は、結晶成長が一様に進んでいたが、a面サファイア基板上に成長した場合にはステップに沿って成長することが確認できた。m, n, r面についての結果、およびクロロ錯体化した原料水溶液を用いた場合との比較については当日報告する。