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[21p-P09-18]Evaluation of electronic states and band offsets of β-(ScxGa1−x)2O3 thin films
〇Kazuki koreishi1, Takuto Soma1, Hiroshi Kumigashira2,3, Akira Ohtomo1 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng., 2.Tohoku Univ., IMRAM, 3.KEK-IMSS)
Keywords:
semiconductor alloys,band offset,x-ray photoemission spectroscopy
β-Ga2O3のバンドギャップ制御に向け，Al2O3-Ga2O3(AGO)混晶の研究が数多く行われている．一方我々は過去にSc2O3-Ga2O3(SGO)混晶薄膜を作製し，AGO と同様なバンドギャップ制御の可能性を報告した．今回はSGO 薄膜の電子状態に着目し，置換によって生じる価電子帯・伝導帯の構造変化と，ヘテロ接合デバイスの設計に重要なSGO/GO 界面のバンドオフセットの二点を評価したので報告する．