講演情報
[21p-P09-18]β-(ScxGa1−x)2O3薄膜の電子状態およびバンドオフセット評価
〇是石 和樹1、相馬 拓人1、組頭 広志2,3、大友 明1 (1.東工大物質理工、2.東北大多元研、3.高エネ研)
キーワード：
混晶半導体,バンドオフセット,X線光電子分光
β-Ga2O3のバンドギャップ制御に向け，Al2O3-Ga2O3(AGO)混晶の研究が数多く行われている．一方我々は過去にSc2O3-Ga2O3(SGO)混晶薄膜を作製し，AGO と同様なバンドギャップ制御の可能性を報告した．今回はSGO 薄膜の電子状態に着目し，置換によって生じる価電子帯・伝導帯の構造変化と，ヘテロ接合デバイスの設計に重要なSGO/GO 界面のバンドオフセットの二点を評価したので報告する．