[22a-A201-1~12] CS.8 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[22a-A201-2] Thickness and composition dependence of electrical property in HfO₂ -CeO₂ film

Koji Hirai¹, 〇Kazuki Okamoto¹, Takahisa Shiraishi^2,1, Wakiko Yamaoka³, Risako Tsurumaru³, Yukari Inoue³, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.Kumamoto Univ., 3.TDK Corp.)

Keywords:

ferroelectric thin film,piezoelectrics

HfO2基蛍石型強誘電体は、これまで広く用いられてきたペロブスカイト型強誘電体酸化物とは異なり、厚み数nmの極薄膜でも強誘電性を示すことが明らかにされてきた。加えてCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセスとの整合性に優れている点からも、ナノスケール強誘電体メモリへの応用に適した材料として注目されている。これまで本研究グループでは、蛍石型構造を有するCeO₂とHfO₂との固溶体薄膜を作製し、準安定な直方晶相の強誘電性について、その膜厚及び組成依存性について調査してきた。本研究発表ではその圧電特性評価についても報告する。