[22a-A201-1~12] CS.8 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

9:15 〜 9:30

[22a-A201-2] HfO₂-CeO₂膜における電気特性の膜厚及び組成依存性

平井 浩司¹、〇岡本 一輝¹、白石 貴久^2,1、山岡 和希子³、鶴丸 理沙子³、井上 ゆか梨³、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.熊本大、3.TDK株式会社)

キーワード：

強誘電体薄膜,圧電体

HfO2基蛍石型強誘電体は、これまで広く用いられてきたペロブスカイト型強誘電体酸化物とは異なり、厚み数nmの極薄膜でも強誘電性を示すことが明らかにされてきた。加えてCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセスとの整合性に優れている点からも、ナノスケール強誘電体メモリへの応用に適した材料として注目されている。これまで本研究グループでは、蛍石型構造を有するCeO₂とHfO₂との固溶体薄膜を作製し、準安定な直方晶相の強誘電性について、その膜厚及び組成依存性について調査してきた。本研究発表ではその圧電特性評価についても報告する。