[22a-A201-1~12] CS.8 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-A201-3] Evaluation of ferroelectricity for Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films on Ga₂O₃ substrate

〇Keigo Naito¹, Koichi Yamaguchi², Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Metro. Univ., 2.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:

Hf-based ferroelectric thin films,Gallium Oxide

近年、Hf 系強誘電体を用いた FeFET に関する研究が盛んに行われているが、強誘電体薄膜/半導体界面に形成される低誘電率層に起因した減分極電界が FeFET の実用化における大 きな障害となっている。本研究室では、酸化物半導体を用いることによる、界面層形成の抑制効果について検討を行っている。酸化物半導体である Ga2O3基板直上に成長したHf_0.5Zr_0.5O₂ (HZO) 薄膜の強誘電性については報告例がない。前回の応用物理学会では、(-201), (010) β–Ga₂O₃ 基板上に ALD 成長した HZO 薄膜の直方晶相形成過程について報告した。本講演では、その誘電特性について詳細な議論を行う。