[22a-A201-1~12] CS.8 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[22a-A201-3] Ga₂O₃基板上に作製したHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の強誘電性の評価

〇内藤 圭吾¹、山口 晃一²、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪公立大工、2.大阪府立大工)

キーワード：

Hf系強誘電体薄膜,酸化ガリウム

近年、Hf 系強誘電体を用いた FeFET に関する研究が盛んに行われているが、強誘電体薄膜/半導体界面に形成される低誘電率層に起因した減分極電界が FeFET の実用化における大 きな障害となっている。本研究室では、酸化物半導体を用いることによる、界面層形成の抑制効果について検討を行っている。酸化物半導体である Ga2O3基板直上に成長したHf_0.5Zr_0.5O₂ (HZO) 薄膜の強誘電性については報告例がない。前回の応用物理学会では、(-201), (010) β–Ga₂O₃ 基板上に ALD 成長した HZO 薄膜の直方晶相形成過程について報告した。本講演では、その誘電特性について詳細な議論を行う。