[22a-A201-1~12] CS.8 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[22a-A201-4] Non-heating process for (Hf,Zr)O₂-based ferroelectric thin film transistor fabrication

〇(M1)Takeshi Asuka¹, Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹ (1.Univ. Hyogo)

Keywords:

ferroelectric,(Hf,Zr)O2,thin film transistor

HfO₂系強誘電体は10 nm以下の膜厚でも強誘電性を示すとともに、バンドギャップが大きいことから、可視光領域で透明性が高い。また、Yを7 %ドープしたHfO₂強誘電体(YHO)では熱処理によらない結晶化が報告されており耐熱性の低い樹脂基板上への透明強誘電体デバイス応用が期待される。しかし、熱処理によらない結晶化が報告されているのはYHOに限られる。そこで本研究では、(Hf, Zr)O₂ (HZO)を用いた、熱処理によらない強誘電体薄膜トランジスタについて報告する。