[22a-A201-1~12] CS.8 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

9:45 〜 10:00

[22a-A201-4] 非加熱プロセスによる(Hf,Zr)O₂を用いた強誘電体薄膜トランジスタの作製

〇(M1)飛鳥 剛士¹、藤沢 浩訓¹、中嶋 誠二¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：

強誘電体,(Hf, Zr)O2,薄膜トランジスタ

HfO₂系強誘電体は10 nm以下の膜厚でも強誘電性を示すとともに、バンドギャップが大きいことから、可視光領域で透明性が高い。また、Yを7 %ドープしたHfO₂強誘電体(YHO)では熱処理によらない結晶化が報告されており耐熱性の低い樹脂基板上への透明強誘電体デバイス応用が期待される。しかし、熱処理によらない結晶化が報告されているのはYHOに限られる。そこで本研究では、(Hf, Zr)O₂ (HZO)を用いた、熱処理によらない強誘電体薄膜トランジスタについて報告する。