[22a-A202-1~11] 17.3 Layered materials

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-A202-1] Evaluation of MoS₂/Cytop interface properties formed by dry process

〇Yuta Kono¹, Shunto Arai², Tomonori Nishimura¹, Kaito Kanahashi¹, Kosuke Nagashio¹ (1.Tokyo Univ., 2.NIMS)

Keywords:

MoS2,Cytop

MoS₂ FETのS.S.低減には界面準位密度(D_it)の低減が要求されるため，MoS₂/絶縁膜界面の理解が重要である．最近，有機FETにおいて，絶縁膜であるサイトップが395 nm厚さにも拘わらず65 mV/decのS.S.が報告された．しかしながら，サイトップの超撥水性表面ではレジストが濡れないためレジストプロセスが適応出来きず，パッシベーション膜としての利用に留まっている．
本研究では，絶縁膜にサイトップを用いたMoS₂ FETを作製する乾式プロセスを確立し，デバイス特性評価からS.S.とD_itを抽出し，様々な基板で比較検討を行った．