[22a-A202-1~11] 17.3 層状物質

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[22a-A202-1] 乾式プロセスによるMoS₂/サイトップ絶縁膜界面の特性評価

〇河野 勇太¹、荒井 俊人²、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.NIMS)

キーワード：

MoS2,サイトップ

MoS₂ FETのS.S.低減には界面準位密度(D_it)の低減が要求されるため，MoS₂/絶縁膜界面の理解が重要である．最近，有機FETにおいて，絶縁膜であるサイトップが395 nm厚さにも拘わらず65 mV/decのS.S.が報告された．しかしながら，サイトップの超撥水性表面ではレジストが濡れないためレジストプロセスが適応出来きず，パッシベーション膜としての利用に留まっている．
本研究では，絶縁膜にサイトップを用いたMoS₂ FETを作製する乾式プロセスを確立し，デバイス特性評価からS.S.とD_itを抽出し，様々な基板で比較検討を行った．