Presentation Information
[22a-A202-8]Local gate control of valley current in monolayer MoS2
〇Kei Takahashi1, Kazuki Fukuda1, Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi2, Mengnan Ke1, Nobuyuki Aoki1 (1.Chiba Univ, 2.NIMS)
Keywords:
Valley Hall Effect,2D semiconductor,Valley Current
二次元層状半導体である遷移金属ダイカルコゲナイドは、その単層では結晶構造の空間反転対称性が破れていることから、キャリアはベリー曲率を持ち、バレーホール効果が起こる。また、ホールバー形状の素子においてバレーホール効果が発生すると正味の電荷の流れを伴わないバレーの流れ（バレー流）が生じる。本研究では単層MoS2において生成されるバレー流の局所ゲート構造による制御を試みている。