講演情報
[22a-A202-8]単層MoS2におけるバレー流の局所ゲート制御
〇高橋 慶1、福田 和紀1、渡邊 賢治2、谷口 尚2、柯 夢南1、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.物材機構)
キーワード：
バレーホール効果,二次元半導体,バレー流
二次元層状半導体である遷移金属ダイカルコゲナイドは、その単層では結晶構造の空間反転対称性が破れていることから、キャリアはベリー曲率を持ち、バレーホール効果が起こる。また、ホールバー形状の素子においてバレーホール効果が発生すると正味の電荷の流れを伴わないバレーの流れ（バレー流）が生じる。本研究では単層MoS2において生成されるバレー流の局所ゲート構造による制御を試みている。