[22a-A303-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[22a-A303-9] Examination of Co-ALD using CCTBA for high-reliable interconnects

〇Jun Yamaguchi¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukune¹, Takeshi Momose¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:

interconnect,cobalt,ALD

半導体集積回路における高信頼性配線形成に向け，配線層へのCoの利用が進んでいる。Co膜の形成手法として，膜厚制御性や段差被覆性に優れる原子層堆積(ALD: Atomic Layer Deposition)法の利用が検討されている。本研究では，CCTBAを原料としたCo-ALDプロセスを検討したので報告する。