Presentation Information
[22a-A401-7]A pseudo-wet plasma etching for SiO2 films at low temperature
〇Shihnan Hsiao1, Makoto Sekine1, Yuki Iijima2, Ryutaro Suda2, Yoshinobu Ohya2, Yoshihide Kihara2, Takayoshi Tsutsumi2, Kenji Ishikawa2, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., 2.TEL Miyagi)
Keywords:
plasma etching,cryogenic etching
はじめに モバイルデバイスの運用にデータストレージを必要とするあらゆるプラットフォームの主流は、データ容量が増加することを誇る3D NANDフラッシュメモリである。そのデータ容量を向上させるために積層層数が増加することは、製造プロセスだけでなく基礎科学的な観点からもさまざまな課題を提起している。特に、積層の高アスペクト比コンタクトホール(HARC)エッチングなどの深いホールのエッチング技術に重要な進展があった。最近、3D NAND向けの超高速エッチングプロセスが低温条件で発表された。フッ化水素(HF）プラズマを用いたSiO2の低温エッチングの反応機構を、分光エリプソメトリや減衰全反射フーリエ変換赤外分光法(ATR-FTIR)のその場計測技術を用いて調査した。