講演情報
[22a-A401-7]低温における絶縁膜の擬ウェットプラズマエッチング
〇蕭 世男1、関根 誠1、飯島 祐樹2、須田 隆太郎2、大矢 欣伸2、木原 嘉英2、堤 隆嘉2、石川 健治2、堀 勝1 (1.名古屋大学、2.東京エレクトロン)
キーワード：
プラズマエッチング,クライオエッチング
はじめに モバイルデバイスの運用にデータストレージを必要とするあらゆるプラットフォームの主流は、データ容量が増加することを誇る3D NANDフラッシュメモリである。そのデータ容量を向上させるために積層層数が増加することは、製造プロセスだけでなく基礎科学的な観点からもさまざまな課題を提起している。特に、積層の高アスペクト比コンタクトホール(HARC)エッチングなどの深いホールのエッチング技術に重要な進展があった。最近、3D NAND向けの超高速エッチングプロセスが低温条件で発表された。フッ化水素(HF）プラズマを用いたSiO2の低温エッチングの反応機構を、分光エリプソメトリや減衰全反射フーリエ変換赤外分光法(ATR-FTIR)のその場計測技術を用いて調査した。