[22a-A401-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-A401-8] Low temperature etching of SiO₂, SiN and a-C using CF₄/H₂ plasma

〇(M1)Yusuke Imai¹, Shih-Nan Hsiao², Makoto Sekine², Yuki Iijima³, Ryutaro Suda³, Yoshinobu Ohya³, Yoshihide Kihara³, Takayoshi Tsutsumi², Kenji Ishikawa², Masaru Hori² (1.Nagoya U. Eng., 2.Center for Low-temperature Plasma Science, 3.Tokyo Electron Miyagi Ltd)

Keywords:

Plasma,Etching,Low temperature

近年、高アスペクト比の構造に対して低温エッチングを使用することに関心が高まっている。本研究では、CF₄/H₂プラズマを用いて、基板温度(Ts)が20℃、-60℃の場合のSiO₂, SiN, a-Cのエッチレートを調査した。Ts=20℃では、H₂比率が増加するとERは単調減少するが、Ts=-60℃ではSiO₂, SiNのERが逆転し、SiO₂はH₂ 30~40%で最大となり、低温における特異な反応が示唆された。本公演では、この表面反応過程について議論する。