[22a-A401-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[22a-A401-8] CF₄/H₂プラズマによるSiO₂,SiN,a-C膜の低温エッチング

〇(M1)今井 祐輔¹、蕭 世男²、関根 誠²、飯島 祐樹³、須田 隆太郎³、大矢 欣伸³、木原 嘉英³、堤 隆嘉²、石川 健治²、堀 勝² (1.名大院工、2.名大低温プラズマ科学センター、3.東京エレクトロン宮城)

キーワード：

プラズマ,エッチング,低温

近年、高アスペクト比の構造に対して低温エッチングを使用することに関心が高まっている。本研究では、CF₄/H₂プラズマを用いて、基板温度(Ts)が20℃、-60℃の場合のSiO₂, SiN, a-Cのエッチレートを調査した。Ts=20℃では、H₂比率が増加するとERは単調減少するが、Ts=-60℃ではSiO₂, SiNのERが逆転し、SiO₂はH₂ 30~40%で最大となり、低温における特異な反応が示唆された。本公演では、この表面反応過程について議論する。